功能性被膜、浸液部件、浸液部件的制造方法、曝光装置、以及设备制造方法
[0246]第2部分382能从与空间SP的液体LQ (基板P上的液体LQ)接触的孔128H将液体LQ回收至回收流路119。另外，第2部分382抑制气体G从未与液体LQ接触的孔128H向回收流路119流入。
[0247]S卩，第2部分382能从面向浸液空间LS的孔128H将浸液空间LS的液体LQ回收至回收流路119，而抑制气体G从面向浸液空间LS外侧的气体空间GS的孔128H向回收流路119流入。
[0248]本实施方式中，第2部分382实质上仅将液体LQ回收至回收流路119，而气体G不回收至回收流路119。
[0249]本实施方式中，作为浸液部件6E的构成部件中在其表面成膜有ta_C:Ti膜的区域，与第I实施方式同样地，可举出配置于与液体LQ接触的区域的构成部件。
[0250]本实施方式中，由于能抑制液体LQ中的抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出，所以能抑制因再析出物剥离导致的对基板P的附着所引起的曝光不良的发生。另外，由于能通过抑制抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出使清洗工序的频率降低，所以能抑制生产率的降低。
[0251]特别是本实施方式的浸液部件中液体的回收压力高。通过对这种浸液部件使用本发明的实施方式的ta_C:Ti膜，能更充分地发挥如上所述的效果。
[0252]应予说明，上述各实施方式中，投影光学系统PL的终端光学元件5的射出侧(图像面侧)的光路被液体LQ充满。但也可以采用例如国际公开第2004/019128号所公开的终端光学元件的入射侧(物体面侧)光路也被液体LQ充满的投影光学系统PL。
[0253]应予说明，上述各实施方式中，作为曝光用的液体LQ，使用水，但也可以是水以外的液体。
[0254]另外，本实施方式中，在浸液部件6表面设置ta-C:Ti膜并通过照射紫外线使其具有亲水性，但也可使浸液部件的一部分成为拒水性。通过在与液体接触的部分设置亲水性的ta_C:Ti膜并在其外周设置拒水性的ta_C:Ti膜，能期待在亲水性的部分保持液体的效果。应予说明，通过在将ta_C:Ti膜成膜后以遮光部件覆盖的状态照射紫外线，能组合拒水性的部分和亲水性的部分。
[0255]应予说明，作为上述各实施方式的基板P，不仅可使用半导体设备制造用的半导体晶片，也可使用显示设备用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或曝光装置所使用的掩模或标线片的原版(合成石英、硅晶片)等。
[0256]作为曝光装置EX，除了使掩模M与基板P同步移动而对掩模M的图案进行扫描曝光的步进扫描(st印&scan)方式的扫描型曝光装置(扫描步进机)以外，还可以使用在掩模M和基板P静止的状态下将掩模M的图案一次曝光，并使基板P依次步进移动的步进重复(step&repeat)方式的投影曝光装置(步进机)。
[0257]此外，在步进重复方式的曝光中，可在第I图案与基板P实质静止的状态下使用投影光学系统将第I图案的缩小图像转印至基板P上后，在第2图案与基板P实质静止的状态下使用投影光学系统将第2图案的缩小图像与第I图案局部重叠地在基板P上一次曝光(接合方式的一次曝光装置)。另外，作为接合方式的曝光装置，可使用在基板P上至少将二个图案局部重叠转印，并使基板P依次移动的步进接合(step&stitch)方式的曝光装置。
[0258]另外，例如美国专利第6611316号所公开的将二个掩模的图案介由投影光学系统在基板上合成，以一次扫描曝光使基板上的一个照射区域实质上同时双重曝光的曝光装置等也适用本发明。另外，近接方式的曝光装置、镜面投影对准曝光器(mirrorproject1naligner)等也适用本发明。
[0259]另外，曝光装置EX可以是例如美国专利第6341007号、美国专利第6208407号、美国专利第6262796号等所公开的具备多个基板载台的双载台型的曝光装置。该情况下，在端部配置回收口、具有捕捉面的回收流路可分别设于多个基板载台，也可设于一部分的基板载台。
[0260]另外，曝光装置EX可以是例如美国专利第6897963号、美国专利申请公开第2007/0127006号等所公开的具备保持基板的基板载台以及搭载形成有基准标记的基准部件和/或各种光电传感器且不保持曝光对象的基板的测量载台的曝光装置。另外，也可用于具备多个基板载台和测量载台的曝光装置。该情况下，在端部配置回收口、具有捕捉面的回收流路也可配置于测量载台。
[0261]作为曝光装置EX的种类，不限于对基板P将半导体元件图案曝光的半导体元件制造用的曝光装置，也可广泛用于液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置，或者用于制造薄膜磁头、摄影元件(CCD)、微型机器、MEMS、DNA芯片、标线片或掩模等的曝光装置等。
[0262]应予说明，上述各实施方式中，使用包括激光干涉仪的干涉仪系统测量各载台的位置信息，但并不限于此，也可使用例如检测设于各载台的标尺(衍射光栅)的编码器系统。
[0263]应予说明，上述实施方式中，使用了在光透射性基板上形成有规定遮光图案(或相位图案、减光图案)的光透射型掩模，但也可代替该掩模而使用例如美国专利第6778257号公报所公开的根据待曝光图案的电子数据来形成透射图案或反射图案、或形成发光图案的可变成型掩模(也称为电子掩模、主动掩模或图像产生器)。另外，也可代替具有非发光型图像显示元件的可变成型掩模，而具备包括自发光型图像显示元件的图案形成装置。
[0264]上述各实施方式中，举出具备投影光学系统PL的曝光装置为例进行说明，但不使用投影光学系统PL的曝光装置及曝光方法也适用本发明。例如，可以在透镜等光学部件与基板之间形成浸液空间，介由该光学部件对基板照射曝光用光。
[0265]另外，例如国际公开第2001/035168号所公开的在基板P上形成干涉条纹从而在基板P上将线条和空间图案(line&spacepattern)曝光的曝光装置(光刻系统)也适用本发明。
[0266]上述实施方式的曝光装置EX是通过以保持规定的机械精度、电精度、光学精度的方式来组装包括本申请技术方案中举出的各构成要件的各种子系统而制造的。为确保这些各种精度，在组装前后，对各种光学系统进行用于达成光学精度的调整、对各种机械系统进行用于达成机械精度的调整、从各种子系统向曝光装置组装的工序包括各种子系统彼此的机械连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。从该各种子系统向曝光装置组装的工序前，有各子系统各自的组装工序。在各子系统向曝光装置组装的工序结束后，进行综合调整，以确保曝光装置整体的各种精度。应予说明，曝光装置的制造最好是在温度和清洁度等被管理的无尘室进行。
[0267]半导体设备等微型设备如图18所示经如下步骤制造:进行微型设备的功能、性能设计的步骤501 ;根据该设计步骤制作掩模(标线片)的步骤502 ;制造作为设备基材的基板的步骤503 ;包括使用上述实施方式的曝光装置以来自掩模的图案的曝光用光将基板曝光的工序和将曝光了的基板显影的工序的基板处理步骤504 ;设备组装步骤(包括切割工序、焊接工序、封装工序等加工工艺)505 ；以及检查步骤506等。
[0268]应予说明，上述各实施方式的要件可适当组合。另外，还有不使用部分构成要素的情况。另外，在法令许可范围内，援用上述各实施方式及变形例所引用的关于曝光装置等的所有公开公报及美国专利的公开作为本文记载的一部分。
[0269]作为一个例子，上述实施方式中，对施加于以浸渍于液体的状态使用的基材的表面的功能性被膜进行了说明，但本发明不限定于此。本发明的功能性被膜也可施加于以浸渍于液体的状态使用的基材以外的各种基材的表面。
[0270]具体而言，本发明一个实施方式的功能性被膜308B是被施加于基材308A的表面的功能性被膜，包含掺杂有Ti的四面体非晶碳膜(ta_C:Ti膜)。该膜的组成中，由下述的式⑶定义的、Ti相对于C的原子比率(Ti/C原子比率)α为0.03?0.09。
[0271]a = (Ti/C 原子比率)
[0272]= (Ti 原子数)/ {(Sp3-C 原子数)+ (Sp2-C 原子数)}…(3)
[0273]其中，(Ti原子数):占膜的Ti原子数
[0274](sp3-C原子数):占膜的SP3杂化轨道的碳原子数
[0275](sp2-C原子数):占膜的SP2杂化轨道的碳原子数。
[0276]ta_C:Ti膜的厚度例如可为1nm?I μπι。具体而言，ta_C:Ti膜的厚度可为约10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、200、300、400、500、600、700、800、900 或 100nm0 应予说明，ta-C:Ti膜的厚度不限定于此。
[0277]上述的功能性被膜308B由于具有化学稳定且不易污染的特性，因此不仅可用作浸液部件，还可用作光学部件等的保护膜。例如，可用作保护高温下密合使用的部件的表面的保护膜。
[0278]符号说明
[0279]2...基板载台、5...终端光学元件、6...浸液部件、22...液体回收区域(回收面)、24..?筛网部件、24H..?贯通孔(孔)、208A..?基材、208B..?功能性被膜、208..?试样、EL..?曝光用光、EX..?曝光装置、K..?光路、LQ..?液体、LS..?浸液空间、P..?基板。
【主权项】
1.一种功能性被膜，是被施加于基材的表面的功能性被膜，所述基材以浸渍于液体的状态使用， 包含掺杂有Ti的四面体非晶碳的膜、即ta_C:Ti膜。2.根据权利要求1所述的功能性被膜，其中，所述膜的组成中，由下述的式(I)定义的、Ti相对于C的原子比率α即Ti/C原子比率为0.03?0.09， a = (Ti/C原子比率) =(Ti 原子数)/ {(Sp3-C 原子数)+ (Sp2-C 原子数)}...(I) 其中，(Ti原子数):占所述膜的Ti原子数， (SP3-C原子数):占所述膜的Sp3杂化轨道的碳原子数， (sp2-C原子数):占所述膜的Sp2杂化轨道的碳原子数。3.根据权利要求1或2所述的功能性被膜，其中，所述膜的表面的纯水的静态接触角β为30度以下。4.根据权利要求1?3中任一项所述的功能性被膜，其中，所述膜的表面的相比于纯Ti的表面的污染指数γ为80%以下。5.根据权利要求1?4中任一项所述的功能性被膜，其中，所述基材由Ti构成。6.根据权利要求5所述的功能性被膜，其中，所述基材由Ti构成， 由下述的式(2)定义的、占所述膜的SP3杂化轨道的碳原子即SP3-C原子的比例δ为59%以下， δ = (sp3-C原子的比例) =(sp3-C原子数)/ {(Sp3-C原子数)+ (Sp2-C原子数)+ (Ti原子数)}…(2) 其中，(Ti原子数):占所述膜的Ti原子数， (SP3-C原子数):占所述膜的Sp3杂化轨道的碳原子数， (sp2-C原子数):占所述膜的Sp2杂化轨道的碳原子数。7.一种浸液部件，是以用液体充满照射于物体的曝光用光的光路的方式在与所述物体之间保持所述液体而形成浸液空间的浸液部件， 所述浸液部件由被权利要求1?6中任一项所述的功能性被膜覆盖的所述基材构成，且所述基材具有筛网形状。8.—种曝光装置，是介由液体使用曝光用光将基板曝光的曝光装置，具备权利要求7所述的浸液部件。9.根据权利要求8所述的曝光装置，其中，在回收液体的液体回收机构的一部分具备所述浸液部件。10.一种设备制造方法，包括如下工序: 使用权利要求8或9所述的曝光装置将基板曝光的工序，和 将曝光了的所述基板显影的工序。11.一种功能性被膜，是被施加于基材的表面的功能性被膜， 包含掺杂有Ti的四面体非晶碳的膜、即ta-C:Ti膜， 所述膜的组成中，由下述的式(3)定义的、Ti相对于C的原子比率α即Ti/C原子比率为0.03?0.09， a = (Ti/C原子比率)=(Ti原子数)/ {(SP3-C原子数)+ (SP2-C原子数)}…(3)其中，(Ti原子数):占所述膜的Ti原子数，(SP3-C原子数):占所述膜的Sp3杂化轨道的碳原子数，(sp2-C原子数):占所述膜的Sp2杂化轨道的碳原子数。12.根据权利要求11所述的功能性被膜，其中，所述膜的厚度为1nm?I μπι。
【专利摘要】一种施加于基材表面的功能性被膜，包含掺杂有Ti的四面体非晶碳的膜(ta-C:Ti膜)。
【IPC分类】C23C14/06
【公开号】CN104919078
【申请号】CN201480004940
【发明人】岸梅工, 泷优介
【申请人】株式会社尼康
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2014年1月22日
【公告号】EP2949777A1, US9057955, US20140227644, US20150241784, WO2014115755A1
文档序号 :
【 9203902 】
技术研发人员：岸梅工,泷优介
技术所有人：株式会社尼康
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
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