一种熔盐提拉法生长ktp优质单晶的方法
技术领域：
本发明属于晶体生长领域，具体指一种熔盐结合提拉法生长得到优质KTP的工艺方法。
背景技术：
KTP (化学式KTi0P04)KTP (KTiOPO4),是一种具有优异的非线性、电光和声光性能的非线性光学晶体。高非线性系数、宽透过范围、大的接收角及热稳定等特点，使得KTP成为各种非线性光学和波导应用的理想材料，已经广泛运用于科研、技术等各个领域，特别是中小功率倍频的最佳晶体材料。熔盐提拉法具有简单、缩短生长周期，节约成本等特点。本发明采用新工艺，熔盐结合提拉法，利用K6为助熔剂生长KTP。
发明内容
本发明的目的是探究一种简单、缩短生长周期、节约成本得到优质KTP的方法。本发明通过如下方式实现
1. 一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6P4O13为助熔剂生长，使用熔盐结合提拉的方法生长KTP单晶。2.如项1所述的一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于KTP: K6P4O13 = 1:2。3.如项1所述的一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于所述熔盐提拉法使用的转速为15r/min，拉速为0. 2mm/day 2mm/day，降温速率为0. 2 V /day 2 "C /day ο本发明特点采用熔盐结合提拉法生长KTP，具有缩短生长周期、节约成本提高效率特点。
具体实施例方式实施例一采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6为助熔剂生长，KTP:K6 = 0. 5g/g,于 950°C化料，转速 15r/min，拉速 0. 2mm/day 2mm/day，降温速率 0. 2V /day 2V /day,生长得到优质单晶KTP。
权利要求
1.一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6P4O13为助熔剂生长，使用熔盐结合提拉的方法生长KTP单晶。
2.如权利要求1所述的一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于KTP: K6P4O13 = 1:2。
3.3.如权利要求1所述的一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于所述熔盐提拉法使用的转速为15r/min，拉速为0. 2mm/day 2mm/day，降温速率为0. 2°C / day ~ 2°C / day。
全文摘要
一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法。本发明的核心内容是采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6P4O13为助熔剂生长，KTP:K6P4O13＝0.5g/1g，转速15r/min，拉速0.2mm/day～2mm/day，降温速率0.2℃/day～2℃/day。本发明具有简单、有效缩短生长周期、节约成本、高效等特点。
文档编号C30B29/22GK102465332SQ201110239820
公开日2012年5月23日 申请日期2011年8月21日 优先权日2010年11月18日
发明者吴少凡, 王昌运, 郑熠, 陈伟 申请人:中国科学院福建物质结构研究所
文档序号 :
【 8123339 】
技术研发人员：王昌运,陈伟,吴少凡,郑熠
技术所有人：中国科学院福建物质结构研究所
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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